|
【成都單片機MCU】IBM(IBM.US)聯(lián)手三星發(fā)布“突破性”芯片設計,可減少85%能耗12月16日訊,近期,IBM(IBM.US)表示,其與三星合作在半導體設計上取得了“突破”,在舊金山舉行的IEDM會議的第一天,這兩家公司公布了一種在芯片上垂直堆疊晶體管的新設計,這種設計可以減少85%的能源消耗。 成都單片機MCU,成都單片機 據(jù)悉,IBM與韓國三星共同發(fā)布“垂直傳輸場效應晶體管”(VTFET) 芯片設計。與當前的鰭式場效應晶體管(FinFET)相比,VTFET有望帶來翻倍的性能,減少85%能耗。IBM和三星聲稱,該工藝有朝一日可能允許手機在一次充電的情況下使用一整個星期,更加省電,從而減少對環(huán)境的影響。 IBM在新聞稿中列出了這項技術帶來的潛在好處,包括:開發(fā)新的芯片架構,延長手機待機時間至一個多星期,擴展物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應用,減少能源密集型流程的能耗等。 |